产品描述
单晶硅电源核心优势
l 既有传统模式和高效率模式（效率高达97%）
l 稳定可靠的谐波治理方式
l 多种规格及冷却方式可供选择
l 恒压、恒流及恒功率多种控制模式
l 高控制精度，功率校准方便
l 数字化控制模式，可靠性高
l 控制响应速度快、动态特性好、均流一致性好
l 高功率因数、高效率、高稳定性
l 人性化操作界面、多种控制信号选择
单晶硅电源技术要求
l 既有传统模式和高效率模式：
² 传统模式是IGBT+快恢复二极管模式，效率≥95%（已经具有20年的制作经验）
² 高效率模式是我公司首创，SiC+同步整流模式，效率≥97%
l 稳定可靠的谐波治理方式：
² 750V直流母线总供电方式，750V整流柜具有专利技术，能够保证整流硅元件损坏时 能够在线热更换热维护，不影响用户生产。
² “一对一”等校24脉波移相谐波治理方式，移相谐波治理装置没有电子线路，治理装置稳定可靠，和电源模块是在一个箱体内。
l 单晶硅电源是采用高频器件，以高频逆变、移相全桥、PWM控制技术为基础研发的高频开关电源
l 单晶硅高频开关电源效率和功率因数高，输出波形品质好
l 多模块并联结构，同时可扩展N+1模式，具有在线热维护功能，电源的可靠性高。
l 关闭或接通任何一个模块，电源柜可重新均流工作，不影响正常生产，均流误差<1%。
l 可以选择恒压、恒流以及恒功率多种控制模式
l 功率校正方便、精度高，功率精度误差<±0.01KW
l 本地采用彩色触摸屏集中控制，远程0-10V、4-20MA等模拟量接口，同时提供RS485、以太网等通讯接口，控制灵活。
l 单元模块专利结构，无水路接头，避免漏水产生
l 电源柜预留单晶炉控制柜电源空开、真空泵空开、简谐式过滤罐空开、备用空开，可以根据现场实际需要设计
l 核心部件采用国际一线产品，主控制系统采用了自有多环控制技术，稳定性强
l 结构上采取了防盐雾酸化措施，具备防止现场粉尘的影响，可靠性高
l 高可靠性：电源采用国外一线品牌器件，采用军工标准的降额设计、生产工艺、老化标准，电路板可以有效防盐雾、防尘、防潮湿、防霉变等，多模块并联冗余设计，保障电源可靠运行。
l 优异的输出特性：采用高精度低温漂采样器件，输出精度高；FPGA数字和模拟混合控制保障电源控制响应速度快、动态特性好、均流一致性好。
l 电源抗干扰能力强：电源控制电路与电源输入、输出功率回路采取全隔离设计措施，接口防护电路俱全，能适应电磁骚扰较恶劣的工业应用环境。
产品参数
序号 | 项目 | 参数 |
1 | 交流输入电压 | 三相AC380V±10% 50±1HZ |
2 | 直流输出电压 | 0～55V 、0～60V，可以根据要求定制 |
3 | 直流输出电流 | 主0～3000A ；辅0～2000A ，可以根据要求定制 |
4 | 直流输出功率 | 0～（150KW+100KW），可以根据要求定制 |
5 | 功率因素 | ≥0.95 |
6 | 转换效率 | ≥97%（TB系列）；≥95%（TD系列） |
7 | 稳定精度 | ±0.01KW |
8 | 电流波纹系数 | ≤1% |
9 | 整流方式 | TB同步MOS管整流；TD快恢复二极管整流 |
10 | 逆变桥开关模式 | 全桥逆变 |
11 | 整机开关频率 | 15KHZ |
12 | 工作方式 | 长期满负荷连续工作 |
13 | 负载等级 | Ⅱ级 |
14 | 冷却方式 | 水冷和风冷可选 |
15 | 变压器绝缘等级 | F级 |
16 | 保护功能 | 过压、过流、欠压、短路、缺相、过热等多项保护功能 |
17 | 工作温度范围 | -20-45℃ |
18 | 外壳防护等级 | IP54 |
19 | 设计使用寿命 | 20年 |
